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井式坩堝爐煅燒真空或惰性氣體的高純度化合物 退火或擴散半導體晶片多達6“直徑
井式坩堝爐以進口含鉬電阻絲或者硅碳棒為加熱元件,采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統(tǒng),移相觸發(fā)、可控硅控制,爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料,雙層爐殼間配有風冷系統(tǒng),能快速升降溫,具有真空裝置,該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點。
井式坩堝爐的主要用途:高校、科研院所、工礦企業(yè)主要用于煅燒真空或惰性氣體中的高純度化合物,退火或擴散半導體晶片,也可以用于烘燒或燒結陶瓷材料等。
井式坩堝爐,集控制系統(tǒng)與爐膛一體,其中爐膛保溫材料采用整體真空吸附成型,程控鑲嵌進口電阻絲。超大口徑的石英爐腔和真空密封法蘭系統(tǒng),可在流動氣氛和真空狀態(tài)下快速加熱樣品。
井式坩堝爐主要用于金屬、非金屬及化合物材料進行燒結、融化、分析??刂泼姘迮溆兄悄軠囟日{節(jié)儀,控制電源開關、主加熱工作/停止按鈕,以便隨時觀察。
井式坩堝爐的特點如下:
1、高品質慘鉬鐵鉻鋁合金作為發(fā)熱元件,可加熱到1200℃ 高純石英杯:205外徑x 190內徑x 340高mm
2、高精度不銹鋼針閥和真空表及真空法蘭可直接使用。
3、內置30段可編程精密數(shù)字溫度控制器可控制升降溫速率。